Кремний карбид мощность MOSFET N-канальный обогащение режим
Артикул: C47326418
Part Number: HT165N1200AKZ
Производитель: HTCSEMI
от 13.143800 ₽
В наличии: 19 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 13.940200 ₽ |
| 10 шт. | 13.752100 ₽ |
| 30 шт. | 13.427700 ₽ |
| 90 шт. | 13.143800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 165A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 517W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 17mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 293nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 7.407nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 21pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 202pF |
Описание
1.2kV 165A 517W монтаж в отверстия TO-247-4L