Кремний карбид мощность MOSFET, N-канальный обогащение режим
Артикул: C47326417
Part Number: HT19N1200ADZ
Производитель: HTCSEMI
от 1.454700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.430500 ₽ |
| 10 шт. | 2.066500 ₽ |
| 30 шт. | 1.838400 ₽ |
| 90 шт. | 1.605800 ₽ |
| 510 шт. | 1.500000 ₽ |
| 990 шт. | 1.454700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 19A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 196mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 40nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 606pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 55pF |
Описание
1.2kV 19A 125W монтаж в отверстия TO-247-3