Кремний карбид мощность MOSFET N-канальный обогащение режим
Артикул: C47326416
Part Number: HT36N1200ADZ
Производитель: HTCSEMI
от 1.980400 ₽
В наличии: 14 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.137500 ₽ |
| 10 шт. | 2.691900 ₽ |
| 30 шт. | 2.427500 ₽ |
| 90 шт. | 2.160100 ₽ |
| 510 шт. | 2.036300 ₽ |
| 990 шт. | 1.980400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 36A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 192W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 98mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 71nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.13nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 7.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 92pF |
Описание
1.2kV 36A 192W монтаж в отверстия TO-247-3