Кремний карбид мощность MOSFET, N-канальный обогащение режим

Кремний карбид мощность MOSFET, N-канальный обогащение режим

Артикул: C47326415 Part Number: HT36N1200AKZ Производитель: HTCSEMI
от 2.126600 ₽ В наличии: 18 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 3.369100 ₽
10 шт. 2.890600 ₽
30 шт. 2.606700 ₽
90 шт. 2.319600 ₽
510 шт. 2.186600 ₽
990 шт. 2.126600 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 1.2kV
Непрерывный ток стока (Id) 36A
Рабочая температура -55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 192W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 98mΩ
Заряд затвора (Qg) 71nC
Входная ёмкость (Ciss) 1.13nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 7.5pF
Выходная ёмкость (Coss) 92pF

Описание

1.2kV 36A 192W монтаж в отверстия TO-247-4L