Кремний карбид мощность MOSFET N-канальный обогащение режим

Кремний карбид мощность MOSFET N-канальный обогащение режим

Артикул: C47326412 Part Number: HT5N1700ADZ Производитель: HTCSEMI
от 1.454700 ₽ В наличии: 11 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.430500 ₽
10 шт. 2.066500 ₽
30 шт. 1.838400 ₽
90 шт. 1.605800 ₽
510 шт. 1.500000 ₽
990 шт. 1.454700 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 1.7kV
Непрерывный ток стока (Id) 5A
Рабочая температура -55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 69W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 800mΩ
Заряд затвора (Qg) 22nC
Входная ёмкость (Ciss) 215pF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 2.2pF
Выходная ёмкость (Coss) 19pF

Описание

1.7kV 5A 69W монтаж в отверстия TO-247-3