Кремний карбид мощность MOSFET, N-канальный обогащение режим

Кремний карбид мощность MOSFET, N-канальный обогащение режим

Артикул: C47326410 Part Number: HT39N650ADZ Производитель: HTCSEMI
от 1.944100 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 3.080100 ₽
10 шт. 2.643500 ₽
30 шт. 2.383700 ₽
90 шт. 2.120900 ₽
510 шт. 2.000000 ₽
990 шт. 1.944100 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 650V
Непрерывный ток стока (Id) 39A
Рабочая температура -40℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 150W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 3.6V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 79mΩ
Заряд затвора (Qg) 46nC
Входная ёмкость (Ciss) 1.02nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 9pF
Выходная ёмкость (Coss) 80pF

Описание

650V 39A 150W монтаж в отверстия TO-247-3