Кремний карбид мощность MOSFET N-канальный обогащение режим
Артикул: C47325508
Part Number: HT52N650AKZ
Производитель: HTCSEMI
от 2.819800 ₽
В наличии: 12 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.467900 ₽ |
| 10 шт. | 3.833100 ₽ |
| 30 шт. | 3.456200 ₽ |
| 90 шт. | 3.076000 ₽ |
| 510 шт. | 2.899700 ₽ |
| 990 шт. | 2.819800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 52A |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 176W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 60mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 63nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.621nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 101pF |
Описание
650V 52A 176W монтаж в отверстия TO-247-4L