Кремний карбид мощность MOSFET N-канальный обогащение режим

Кремний карбид мощность MOSFET N-канальный обогащение режим

Артикул: C47325507 Part Number: HT36N900ADZ Производитель: HTCSEMI
от 4.213000 ₽ В наличии: 30 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 5.941100 ₽
10 шт. 5.126900 ₽
30 шт. 4.629900 ₽
90 шт. 4.213000 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 900V
Непрерывный ток стока (Id) 36A
Рабочая температура -55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 125W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 3.5V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 78mΩ
Заряд затвора (Qg) 33nC
Входная ёмкость (Ciss) 760pF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 5pF
Выходная ёмкость (Coss) 66pF

Описание

900V 36A 125W монтаж в отверстия TO-247-3