NPN кремний эпитаксиальный планарный цифровой транзистор
Артикул: C47283708
Part Number: DTC124EE
Производитель: TWGMC
от 0.009800 ₽
В наличии: 2750 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 50 шт. | 0.019600 ₽ |
| 500 шт. | 0.015400 ₽ |
| 3000 шт. | 0.013100 ₽ |
| 6000 шт. | 0.011700 ₽ |
| 24000 шт. | 0.010500 ₽ |
| 51000 шт. | 0.009800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@5mA,200mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,500uA |
| Входной резистор | 22kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
50V 56 100mA 150mW 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-523 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS