PNP кремний эпитаксиальный планарный цифровой транзистор

PNP кремний эпитаксиальный планарный цифровой транзистор

Артикул: C47283703 Part Number: DTA143EE Производитель: TWGMC
от 0.010500 ₽ В наличии: 12020 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
20 шт. 0.022500 ₽
200 шт. 0.017300 ₽
600 шт. 0.014500 ₽
3000 шт. 0.012800 ₽
9000 шт. 0.011300 ₽
21000 шт. 0.010500 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 PNP Pre-Biased
Тип PNP
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 150mW
Коэффициент усиления по постоянному току 30
Рабочая температура -
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 3V@20mA,300mV
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 500mV@100uA,5V
Выходное напряжение (VO(on)) 300mV
Входной резистор 4.7kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 300mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 250MHz
Ток отсечки коллектора -

Описание

50V 30 100mA 150mW 1 PNP со встроенными резисторами смещения PNP SOT-523 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS