Кремний карбид (SiC) мощность MOSFET
Артикул: C472655
Part Number: SCTW40N120G2VAG
Производитель: ST
от 23.096900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 23.816000 ₽ |
| 10 шт. | 23.096900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 33A |
| Рабочая температура | -55℃~+200℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 290W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 105mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 63nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.23nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 15pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 56pF |
Описание
1.2kV 33A 5V 290W 105mΩ 1 N-канальный N-канальный HiP-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS