ST STGW10M65DF2
Артикул: C472650
Part Number: STGW10M65DF2
Производитель: ST
от 0.492800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.543300 ₽ |
| 10 шт. | 0.532600 ₽ |
| 30 шт. | 0.525000 ₽ |
| 100 шт. | 0.492800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 115W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 10A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.55V |
| Заряд затвора (Qg) | 28nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6V |
| Входная ёмкость (Cies) | 840pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 63pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 16pF |
| Время задержки включения Td(on) | 19ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 91ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 120uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 270uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 96ns |
Описание
115W 10A 650V FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS