Траншейный затвор field-останов, 1200 V, 25 A, низкий-потери M серия IGBT in a TO-247 корпус

Траншейный затвор field-останов, 1200 V, 25 A, низкий-потери M серия IGBT in a TO-247 корпус

Артикул: C472602 Part Number: STGWA25M120DF3 Производитель: ST
от 4.186400 ₽ В наличии: 10 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 6.117400 ₽
10 шт. 5.207100 ₽
30 шт. 4.652100 ₽
90 шт. 4.186400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 375W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 50A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -55℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.3V@25A,15V
Заряд затвора (Qg) 85nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5V@1mA
Входная ёмкость (Cies) 1.55nF
Выходная ёмкость (Coes) 180pF
Проходная ёмкость (Cres) 65pF
Время задержки включения Td(on) 28ns
Время задержки выключения Td(off) 150ns
Энергия потерь при включении (Eon) 850uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.3mJ
Время обратного восстановления (trr) 265ns

Описание

375W 50A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS