ST STGD6M65DF2
Артикул: C472580
Part Number: STGD6M65DF2
Производитель: ST
от 0.942800 ₽
В наличии: 758 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.614600 ₽ |
| 10 шт. | 1.353400 ₽ |
| 30 шт. | 1.208900 ₽ |
| 100 шт. | 1.046300 ₽ |
| 500 шт. | 0.975700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.942800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 88W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 12A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V@6A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 21.2nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 530pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 31pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11pF |
| Время задержки включения Td(on) | 15ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 90ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 36uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 200uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 140ns |
Описание
88W 12A 650V FS (ограничение поля) TO-252 одиночные IGBT-транзисторы RoHS