ST STH65N050DM9-7AG
Артикул: C47146883
Part Number: STH65N050DM9-7AG
Производитель: ST
от 14.826400 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 15.300800 ₽ |
| 10 шт. | 15.097700 ₽ |
| 30 шт. | 14.961200 ₽ |
| 100 шт. | 14.826400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 51A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 266W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 38mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 100nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.68nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | 76pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
266W 650V 51A 4V 38mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный H2PAK-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS