Infineon IMDQ75R007M2HXTMA1
Артикул: C47146880
Part Number: IMDQ75R007M2HXTMA1
Производитель: Infineon
от 35.594500 ₽
В наличии: 3 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 37.322500 ₽ |
| 30 шт. | 35.594500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 750V |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Непрерывный ток стока (Id) | 222A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 789W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8.5mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 171nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.922nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 31pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 502pF |
Описание
750V 222A 5.6V 789W 8.5mΩ 1 N-канальный N-канальный Q-DPAK одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS