Цифровой транзисторы (встроенный резисторы), двойной цифровой транзисторы (NPN+PNP)
Артикул: C47089432
Part Number: UMD2N
Производитель: JSCJ
от 0.035400 ₽
В наличии: 770 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.057200 ₽ |
| 100 шт. | 0.047800 ₽ |
| 300 шт. | 0.043200 ₽ |
| 3000 шт. | 0.039700 ₽ |
| 6000 шт. | 0.036800 ₽ |
| 9000 шт. | 0.035400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Тип | NPN+PNP |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 28.6kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
56 100mA 150mW 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения NPN+PNP SOT-363 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS