VISHAY SIHP11N80E-GE3
Артикул: C467936
Part Number: SIHP11N80E-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.896800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.984100 ₽ |
| 10 шт. | 0.962600 ₽ |
| 30 шт. | 0.910600 ₽ |
| 100 шт. | 0.896800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 800V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 179W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 380mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 88nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.67nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 68pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
179W 800V 8A 2V 380mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220AB-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS