VISHAY SIHB33N60ET1-GE3
Артикул: C467927
Part Number: SIHB33N60ET1-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.135600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.196800 ₽ |
| 10 шт. | 1.170800 ₽ |
| 30 шт. | 1.152400 ₽ |
| 100 шт. | 1.135600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 33A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 278W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 99mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 150nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.508nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 6pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 156pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
278W 600V 33A 4V 99mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный D2PAK(TO-263) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS