Кремний PNP дарлингтона мощность транзисторы

Кремний PNP дарлингтона мощность транзисторы

Артикул: C46628687 Part Number: BDX54C Производитель: JSMSEMI
от 0.170500 ₽ В наличии: 195 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.179300 ₽
50 шт. 0.175500 ₽
150 шт. 0.173000 ₽
500 шт. 0.170500 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Ток коллектора (Ic) 8A
Рассеиваемая мощность (Pd) 65W
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2V@3A,12mA
Ток отсечки коллектора 200uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.5V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

100V 1000 8A PNP TO-220C одиночные биполярные транзисторы RoHS