Кремний NPN дарлингтона мощность транзисторы

Кремний NPN дарлингтона мощность транзисторы

Артикул: C46596298 Part Number: BDX53C Производитель: JSMSEMI
от 0.169500 ₽ В наличии: 100 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.178300 ₽
50 шт. 0.174500 ₽
150 шт. 0.172000 ₽
500 шт. 0.169500 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Рассеиваемая мощность (Pd) 65W;2W
Ток коллектора (Ic) 8A
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2V;4V
Ток отсечки коллектора 200uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.5V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

100V 1000 8A NPN TO-220C одиночные биполярные транзисторы RoHS