1200V SiC N-канальный MOSFET

1200V SiC N-канальный MOSFET

Артикул: C46491698 Part Number: CI30N120SMD7 Производитель: Tokmas
от 1.444200 ₽ В наличии: 68 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.486300 ₽
10 шт. 2.098000 ₽
45 шт. 1.854000 ₽
90 шт. 1.605400 ₽
540 шт. 1.493300 ₽
990 шт. 1.444200 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 1.2kV
Непрерывный ток стока (Id) 31A
Рабочая температура -55℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 200W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 98mΩ
Заряд затвора (Qg) 102nC
Входная ёмкость (Ciss) 1.98nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 1.8pF
Выходная ёмкость (Coss) 91pF

Описание

1.2kV 31A 200W поверхностный монтаж TO-263-7L