650V однофазный высокий и низкий боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

650V однофазный высокий и низкий боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

Артикул: C46473168 Part Number: NSG6003 Производитель: WXNSIC
от 0.142900 ₽ В наличии: 3525 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.203300 ₽
50 шт. 0.177600 ₽
150 шт. 0.166500 ₽
500 шт. 0.152700 ₽
2500 шт. 0.146600 ₽
4000 шт. 0.142900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET;IGBT
Конфигурация управления High Side;Low Side
Время задержки высокого уровня -
Время задержки низкого уровня -
Время спада 35ns
Время нарастания 70ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 600mA
Напряжение питания 10V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 1A
Особенности Dead-time control;Interleaved conduction protection
Ток покоя 60uA
Входной логический уровень — низкий -
Входной логический уровень — высокий -

Описание

Низкий боковой высокий боковой драйвер затвора микросхема MOSFET IGBT SOP-8