Комплементарный дарлингтона мощность транзистор
Артикул: C464076
Part Number: NJVMJD122T4G
Производитель: onsemi
от 0.353100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.642800 ₽ |
| 10 шт. | 0.524100 ₽ |
| 30 шт. | 0.465500 ₽ |
| 100 шт. | 0.405300 ₽ |
| 500 шт. | 0.370500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.353100 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.75W |
| Ток коллектора (Ic) | 8A |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 4V |
| Ток отсечки коллектора | 10uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 4.5V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 2.8V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 4MHz |
Описание
100V 1000 8A NPN DPAK одиночные биполярные транзисторы RoHS