onsemi H11G1SR2M
Артикул: C463995
Part Number: H11G1SR2M
Производитель: onsemi
от 0.864700 ₽
В наличии: 40 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.502600 ₽ |
| 10 шт. | 1.253800 ₽ |
| 30 шт. | 1.116700 ₽ |
| 100 шт. | 0.964000 ₽ |
| 500 шт. | 0.894700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.864700 ₽ |
Характеристики
| Тип входа | DC |
| Прямое напряжение (Vf) | 1.3V |
| Тип выхода | Darlington Transistor |
| Количество каналов | 1 |
| Напряжение изоляции (В, действующее значение) | 4.17kV |
| Напряжение нагрузки | 100V |
| Обратное напряжение | 6V |
| Коэффициент передачи тока | 500%;1000% |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 850mV@16mA,50mA |
| Время спада | 100us |
| Полная рассеиваемая мощность (Pd) | 290mW |
| Прямой ток (If) | 60mA |
| Особенности | Darlington output structure |
Описание
850mV@16mA,50mA 100V 6V 1.3V DC PDIP-6 оптоизоляторы с транзисторным и фотовольтаическим выходом RoHS