NPN дарлингтона транзистор

NPN дарлингтона транзистор

Артикул: C463889 Part Number: NZT605 Производитель: onsemi
от 0.390000 ₽ В наличии: 240 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.666100 ₽
10 шт. 0.558900 ₽
30 шт. 0.506900 ₽
100 шт. 0.453300 ₽
500 шт. 0.406200 ₽
1000 шт. 0.390000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 110V
Рассеиваемая мощность (Pd) 1W
Ток коллектора (Ic) 1.5A
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 2000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V
Ток отсечки коллектора 10nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 1.8V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 1.7V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 150MHz

Описание

110V 2000 1.5A NPN SOT-223 одиночные биполярные транзисторы RoHS