onsemi NSVMUN5211DW1T3G
Артикул: C463876
Part Number: NSVMUN5211DW1T3G
Производитель: onsemi
от 0.243300 ₽
В наличии: 315 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.253500 ₽ |
| 50 шт. | 0.249100 ₽ |
| 150 шт. | 0.246200 ₽ |
| 500 шт. | 0.243300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 35 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV@10mA,0.3mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
35 250mW 100mA 50V 2 NPN (со встроенными резисторами смещения) SC-88-6 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS