N-канальный JFET, 15V, 10…32mA, 35mS
Артикул: C463875
Part Number: NSVJ3557SA3T1G
Производитель: onsemi
от 0.308500 ₽
В наличии: 213 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.625000 ₽ |
| 10 шт. | 0.502600 ₽ |
| 30 шт. | 0.450400 ₽ |
| 100 шт. | 0.386800 ₽ |
| 500 шт. | 0.324800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.308500 ₽ |
Характеристики
| Количество | - |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 300mV |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 15V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Ток стока (Idss) | 10mA |
| Входная ёмкость Ciss | 10pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | 2.9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
Описание
200mW 10mA 15V SC-59-3 полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS