onsemi NSBC114EPDXV6T1G
Артикул: C463871
Part Number: NSBC114EPDXV6T1G
Производитель: onsemi
от 0.114700 ₽
В наличии: 325 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.119200 ₽ |
| 50 шт. | 0.117200 ₽ |
| 150 шт. | 0.115900 ₽ |
| 500 шт. | 0.114700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 357mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 35 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.2V@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV@10mA,0.3mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
35 357mW 100mA 50V 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-563-6 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS