Комплементарный дарлингтона кремний мощность транзисторы

Комплементарный дарлингтона кремний мощность транзисторы

Артикул: C463815 Part Number: MJH11019G Производитель: onsemi
от 5.879200 ₽ В наличии: 1 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 6.108900 ₽
10 шт. 6.010500 ₽
30 шт. 5.944800 ₽
100 шт. 5.879200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 200V
Рассеиваемая мощность (Pd) 150W
Ток коллектора (Ic) 15A
Рабочая температура -65℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 400@5V,10A
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 4V@15A,150mA
Ток отсечки коллектора -
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 3.8V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.8V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 3MHz

Описание

200V 400@5V,10A 15A PNP TO-247-3 одиночные биполярные транзисторы RoHS