Транзистор предварительное смещение 50V SOT-723
Артикул: C463691
Part Number: DTC114TM3T5G
Производитель: onsemi
от 0.718100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.740900 ₽ |
| 10 шт. | 0.731100 ₽ |
| 30 шт. | 0.724600 ₽ |
| 100 шт. | 0.718100 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 260mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 160 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.7V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5.0V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 260mW поверхностный монтаж SOT-723