NPN малый-сигнальный дарлингтона транзистор
Артикул: C463680
Part Number: BSP52T3G
Производитель: onsemi
от 0.140600 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.148000 ₽ |
| 50 шт. | 0.144800 ₽ |
| 150 шт. | 0.142700 ₽ |
| 500 шт. | 0.140600 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 80V |
| Ток коллектора (Ic) | 1A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 800mW |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 2000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.3V |
| Ток отсечки коллектора | 10uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 1.9V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
Описание
80V 2000 1A NPN SOT-223 одиночные биполярные транзисторы RoHS