Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C463398
Part Number: NSVMUN5111DW1T3G
Производитель: onsemi
от 0.039000 ₽
В наличии: 9575 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.056000 ₽ |
| 50 шт. | 0.048700 ₽ |
| 150 шт. | 0.045000 ₽ |
| 500 шт. | 0.042300 ₽ |
| 2500 шт. | 0.040100 ₽ |
| 5000 шт. | 0.039000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Тип | PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 35 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.2V@10mA,200mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.2V@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 250mW поверхностный монтаж SOT-363