Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-363
Артикул: C463099
Part Number: MUN5316DW1T1G
Производитель: onsemi
от 0.058700 ₽
В наличии: 400 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.109600 ₽ |
| 50 шт. | 0.087700 ₽ |
| 150 шт. | 0.076800 ₽ |
| 500 шт. | 0.068500 ₽ |
| 3000 шт. | 0.062000 ₽ |
| 6000 шт. | 0.058700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 187mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 160 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 900mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 600mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 6.1kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV@10mA,0.3mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 PNP со встроенными резисторами смещения транзистор, 1 NPN 50V 100mA 187mW поверхностный монтаж SOT-363