onsemi MUN5212T1G
Артикул: C463098
Part Number: MUN5212T1G
Производитель: onsemi
от 0.018800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.037300 ₽ |
| 200 шт. | 0.029400 ₽ |
| 600 шт. | 0.025000 ₽ |
| 3000 шт. | 0.022400 ₽ |
| 9000 шт. | 0.020100 ₽ |
| 21000 шт. | 0.018800 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 202mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 60 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.5V@5mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 800mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 22kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 60 100mA 202mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-323-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS