onsemi HGTG20N60B3D
Артикул: C462777
Part Number: HGTG20N60B3D
Производитель: onsemi
от 9.952500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.251400 ₽ |
| 10 шт. | 10.123100 ₽ |
| 30 шт. | 10.037000 ₽ |
| 100 шт. | 9.952500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 165W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 40A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 80nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 25ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 220ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 475uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.05mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 55ns |
Описание
165W 40A 600V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS