IGBT 1.2kV 5.3A TO-252AA

IGBT 1.2kV 5.3A TO-252AA

Артикул: C462776 Part Number: HGTD1N120BNS9A Производитель: onsemi
от 0.614600 ₽ В наличии: 16212 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.148900 ₽
10 шт. 0.940700 ₽
30 шт. 0.826000 ₽
100 шт. 0.696500 ₽
500 шт. 0.639200 ₽
1000 шт. 0.614600 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT NPT (Non-Punch Through)
Рассеиваемая мощность (Pd) 60W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 5.3A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.9V@1.0A,15V
Заряд затвора (Qg) 14nC
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 6V@50uA
Входная ёмкость (Cies) -
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) -
Время задержки включения Td(on) 15ns
Время задержки выключения Td(off) 67ns
Энергия потерь при включении (Eon) 70uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 90uJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

IGBT NPT (не-пробойник Through) 1.2kV 5.3A 60W поверхностный монтаж TO-252AA