1200V/15A траншейный ограничение поля IGBT

1200V/15A траншейный ограничение поля IGBT

Артикул: C462244 Part Number: SPT15N120T1T8TL Производитель: SPS
от 1.208500 ₽ В наличии: 5 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.035300 ₽
10 шт. 1.745600 ₽
30 шт. 1.513300 ₽
90 шт. 1.329200 ₽
450 шт. 1.244700 ₽
900 шт. 1.208500 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 208W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 30A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+150℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.1V@15A,15V
Заряд затвора (Qg) 137nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5.2V@250uA
Входная ёмкость (Cies) 1.87nF
Выходная ёмкость (Coes) 70pF
Проходная ёмкость (Cres) 45pF
Время задержки включения Td(on) 55ns
Время задержки выключения Td(off) 330ns
Энергия потерь при включении (Eon) 1.9mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 310uJ
Время обратного восстановления (trr) 270ns

Описание

208W 30A 1.2kV TO-247 одиночные IGBT-транзисторы