IGBT - ограничение поля II
Артикул: C462118
Part Number: NGTB50N120FL2WG
Производитель: onsemi
от 7.239300 ₽
В наличии: 27 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.317900 ₽ |
| 10 шт. | 8.866500 ₽ |
| 30 шт. | 7.981300 ₽ |
| 100 шт. | 7.239300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 267W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.4V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 311nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V@400uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 7.383nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 233pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 139pF |
| Время задержки включения Td(on) | 118ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 282ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 4.4mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.4mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 256ns |
Описание
267W 50A 1.2kV TO-247 одиночные IGBT-транзисторы