DIODES ZXMN2A04DN8TA
Артикул: C461136
Part Number: ZXMN2A04DN8TA
Производитель: DIODES
от 0.558600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.584600 ₽ |
| 10 шт. | 0.573900 ₽ |
| 30 шт. | 0.566300 ₽ |
| 100 шт. | 0.558600 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | Common source |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5.9A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 35mΩ@2.5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.25W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 700mV |
| Заряд затвора (Qg) | 22.1nC@5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.88nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 386pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 506pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
20V 5.9A 1.25W 35mΩ@2.5V 700mV 2 N-канальный SO-8 сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS