DIODES DMN2009LSS-13
Артикул: C460994
Part Number: DMN2009LSS-13
Производитель: DIODES
от 0.591400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.831900 ₽ |
| 50 шт. | 0.729500 ₽ |
| 150 шт. | 0.685600 ₽ |
| 500 шт. | 0.630400 ₽ |
| 2500 шт. | 0.606000 ₽ |
| 5000 шт. | 0.591400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 12mΩ@2.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 28.3nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.555nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 496pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 523pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
2W 20V 12A 1.2V 12mΩ@2.5V 1 N-канальный N-канальный SO-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS