Микросхема затвор DRVR полумостовой SOIC-8
Артикул: C460691
Part Number: DGD2103MS8-13
Производитель: DIODES
от 0.687500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.195100 ₽ |
| 10 шт. | 0.997500 ₽ |
| 30 шт. | 0.889900 ₽ |
| 100 шт. | 0.766200 ₽ |
| 500 шт. | 0.711600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.687500 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET;IGBT |
| Конфигурация управления | Half-Bridge |
| Время задержки высокого уровня | 150ns |
| Время задержки низкого уровня | 680ns |
| Время спада | 35ns |
| Время нарастания | 70ns |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 290mA |
| Напряжение питания | 10V~20V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 600mA |
| Особенности | Dead-time control;Interleaved conduction protection |
| Ток покоя | 350uA |
| Входной логический уровень — низкий | - |
| Входной логический уровень — высокий | - |
Описание
Полумостовой драйвер затвора микросхема MOSFET IGBT SOIC-8