Транзистор предварительное смещение 40V SOT-23
Артикул: C460048
Part Number: DDTD114EC-7-F
Производитель: DIODES
от 0.208500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.214600 ₽ |
| 50 шт. | 0.212000 ₽ |
| 150 шт. | 0.210300 ₽ |
| 500 шт. | 0.208500 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 40V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@50mA,2.5mA |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 40V 500mA 200mW поверхностный монтаж SOT-23