Транзистор предварительное смещение 50V DFN-3(1x0.6)
Артикул: C460038
Part Number: DDTC114YLP-7
Производитель: DIODES
от 0.493900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.508600 ₽ |
| 10 шт. | 0.502100 ₽ |
| 30 шт. | 0.498800 ₽ |
| 100 шт. | 0.493900 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 180 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 4.5V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.1V@5mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 200mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 0.5uA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 250mW поверхностный монтаж DFN-3(1x0.6)