Транзистор предварительное смещение 50V DFN1006-3
Артикул: C460036
Part Number: DDTC114ELP-7
Производитель: DIODES
от 0.055400 ₽
В наличии: 80 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.093300 ₽ |
| 50 шт. | 0.077000 ₽ |
| 150 шт. | 0.068800 ₽ |
| 500 шт. | 0.062700 ₽ |
| 3000 шт. | 0.057800 ₽ |
| 6000 шт. | 0.055400 ₽ |
Характеристики
| Тип | - |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 60 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.5V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.16V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 250mV |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 0.1uA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 250mW поверхностный монтаж DFN1006-3