Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C460023
Part Number: DDA114TU-7-F
Производитель: DIODES
от 0.042600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.078600 ₽ |
| 50 шт. | 0.063100 ₽ |
| 150 шт. | 0.055300 ₽ |
| 500 шт. | 0.049500 ₽ |
| 3000 шт. | 0.044900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.042600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 160 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 3V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 20 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 0.5uA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж SOT-363