Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C460022
Part Number: DDA113TU-7-F
Производитель: DIODES
от 0.179500 ₽
В наличии: 58 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.188900 ₽ |
| 10 шт. | 0.184800 ₽ |
| 30 шт. | 0.182200 ₽ |
| 100 шт. | 0.179500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.9V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 1kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV@10mA,1mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 0.5uA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж SOT-363