600V N-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C45990952
Part Number: MDD2N60D
Производитель: MDD(Microdiode Semiconductor)
от 0.078700 ₽
В наличии: 1335 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.158500 ₽ |
| 50 шт. | 0.124500 ₽ |
| 150 шт. | 0.109900 ₽ |
| 500 шт. | 0.091700 ₽ |
| 2500 шт. | 0.083600 ₽ |
| 5000 шт. | 0.078700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 35W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.5Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 10.2nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 338pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 36pF |
Описание
600V 2A 4V 35W 4.5Ω@10V 1 N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS