SiC мощность MOSFET N-канальный обогащение режим
Артикул: C45896858
Part Number: IMBG120R090M1HXTMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 3.998700 ₽
В наличии: 69 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.639200 ₽ |
| 10 шт. | 4.865700 ₽ |
| 30 шт. | 4.393700 ₽ |
| 100 шт. | 3.998700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 30A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 136W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 85mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 40nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 920pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 57pF |
Описание
1.2kV 30A 136W поверхностный монтаж TO-263-7L