NPN кремний эпитаксиальный планарный цифровой транзисторы
Артикул: C45662267
Part Number: MMBTRC246SS
Производитель: YFW
от 0.022500 ₽
В наличии: 2940 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.042800 ₽ |
| 100 шт. | 0.033800 ₽ |
| 300 шт. | 0.029300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.026500 ₽ |
| 6000 шт. | 0.023800 ₽ |
| 9000 шт. | 0.022500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 300mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@0.1mA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 10 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
50V 56 300mA 200mW 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS